Bomar博馬爾頻率控制產(chǎn)品
來(lái)源：http://m.techzozo.com 作者：金洛鑫電子 2024年03月13
Bomar博馬爾頻率控制產(chǎn)品
Bomar成立于1963年，博馬爾晶體以質(zhì)量、可靠性、服務(wù)和美國(guó)技術(shù)支持為傲，能夠全面定制固定頻率石英晶體、振蕩器，OCXO、VCXO、TCXO和其他石英計(jì)時(shí)產(chǎn)品。博馬爾專門為美國(guó)制造的定制石英固定頻率部件提供快速周轉(zhuǎn)能力。博馬爾的定制能力允許生產(chǎn)許多具有競(jìng)爭(zhēng)力的停產(chǎn)產(chǎn)品，以達(dá)到確切的數(shù)據(jù)表規(guī)格。
Bomar Crystal證明所有SMD晶體、SMD振蕩器、TCXO、OCXO、VCXO、VCTCXO、石英晶體振蕩器，時(shí)鐘振蕩器和石英晶體產(chǎn)品均符合歐盟RoHS合規(guī)倡議和REACH倡議。50多年來(lái)，博馬爾一直提供滿足或超過(guò)客戶期望的高質(zhì)量頻率控制產(chǎn)品。
晶體和諧振器產(chǎn)品：
通孔晶體
表面貼裝晶體
音叉晶體
射電晶體
陶瓷諧振器
晶體（XTAL）-正確切割和安裝的石英晶體成為高質(zhì)量的計(jì)時(shí)設(shè)備，可以通過(guò)向晶體附近或晶體上的電極施加電壓使其在電場(chǎng)中彎曲。這種特性被稱為壓電性。當(dāng)磁場(chǎng)消失時(shí)，石英在恢復(fù)到原來(lái)的形狀時(shí)會(huì)產(chǎn)生電場(chǎng)，這可以產(chǎn)生電壓。石英晶體的行為類似于由電感、電容和電阻組成的電路，具有精確的諧振頻率。
石英晶振晶體可用于標(biāo)準(zhǔn)微處理器頻率或定制頻率，具有緊密的穩(wěn)定性，采用金屬或陶瓷支架，并提供通孔或表面貼裝封裝。
單片晶體濾波器采用通孔封裝，適用于各種應(yīng)用。
50多年來(lái)，博馬爾一直生產(chǎn)滿足或超過(guò)客戶規(guī)格的高質(zhì)量頻率控制產(chǎn)品
振蕩器產(chǎn)品：
時(shí)鐘振蕩器-表面貼裝
時(shí)鐘振蕩器-通孔
VCXO -表面貼裝
VCXO通孔
TCXO / VCTCXO -表面貼裝
TCXO / VCTCXO通孔
OCXO -表面貼裝恒溫晶振
OCXO通孔
石英晶體振蕩器（XO）、軍用振蕩器、時(shí)鐘振蕩器等。 A 晶體時(shí)鐘振蕩器（有時(shí)縮寫為OSC示意圖）是一種電子電路，利用壓電材料物理晶體的機(jī)械共振以及放大器和反饋來(lái)產(chǎn)生頻率非常精確的電信號(hào)。
濾波器產(chǎn)品：
SAW濾波器有幾種不同的封裝，包括通孔和表面安裝。單片晶體濾波器提供通孔和表面貼裝封裝，適用于各種應(yīng)用。50多年來(lái)，博馬爾一直生產(chǎn)滿足或超過(guò)客戶規(guī)格的高質(zhì)量頻率控制產(chǎn)品
Bomar Crystal證明所有SMD晶體、SMD振蕩器、TCXO、OCXO、VCXO、VCTCXO壓控溫補(bǔ)晶振、時(shí)鐘振蕩器和石英晶體產(chǎn)品均符合歐盟RoHS合規(guī)倡議和REACH倡議
Bomar零件編號(hào)指南，定義：
晶體振蕩器：一種由晶體和振蕩電路組成的計(jì)時(shí)裝置，以特定的參考頻率提供輸出波形。
壓控晶體振蕩器：一種振蕩器，其輸出頻率隨振蕩器控制引腳上的電壓變化而變化。
TXCO溫度補(bǔ)償晶體振蕩器：溫度補(bǔ)償晶振，一種根據(jù)溫度變化調(diào)整頻率的振蕩器，通常定期對(duì)校準(zhǔn)頻率進(jìn)行外部調(diào)整。這是為了補(bǔ)償晶體隨時(shí)間的老化。
OCXO恒溫晶體振蕩器：一種振蕩器，使用一個(gè)烤箱來(lái)穩(wěn)定頻率變化。
額定頻率（或中心頻率）：振蕩器的指定參考頻率，通常以兆赫和千赫為單位。
頻率穩(wěn)定度：與一組運(yùn)行條件相關(guān)的中心頻率偏差量，用百萬(wàn)分之一（ppm）表示。這些條件包括:工作溫度范圍、電源電壓和輸出負(fù)載。
頻率公差：參考溫度（通常為25°C）下標(biāo)稱頻率的允許偏差
工作溫度范圍：符合規(guī)格特性的溫度范圍。這需要仔細(xì)說(shuō)明，因?yàn)樗鼤?huì)影響成本。
儲(chǔ)存溫度范圍：放電狀態(tài)（無(wú)電壓、電流或功率輸入）下可保持規(guī)格特性的溫度范圍。暴露在超過(guò)這一水平的溫度下可能會(huì)導(dǎo)致特性退化或破壞。
頻率老化：在指定條件下工作指定時(shí)間長(zhǎng)度時(shí)的頻率漂移量。
邏輯電平：定義為輸出電壓邏輯高或“邏輯1”和輸出電壓邏輯低或“邏輯0”電壓“0”電平（最大。）:+0.4VDC TTL、+0.5VDC HCMOS用于Vdd = 5v DC（Vdd:電源電壓）電壓“1”電平（最小值。）:+2.5V直流TTL、+4.5V直流HCMOS，Vdd =V直流
三態(tài)輸出：具有這種特性的振蕩器允許輸出處于高阻抗?fàn)顟B(tài)。將邏輯控制電壓施加于振蕩器的引腳1即可激活該功能。
電源電壓（或輸入電壓）：振蕩器工作所需的DC輸入電壓。目前通常使用5V直流電，便攜式設(shè)備中使用3.3V直流電。
電源電流（或輸入電流）：振蕩器消耗的電源電流量，通常以毫安為單位。
上升/下降時(shí)間：上升時(shí)間定義為從輸出邏輯低電平到輸出邏輯高電平的轉(zhuǎn)換時(shí)間。下降時(shí)間定義為從輸出邏輯高電平到輸出邏輯低電平的轉(zhuǎn)換時(shí)間。
占空比（或?qū)ΨQ性）：輸出波形均勻性的度量。全周期和半周期的比率。對(duì)于CMOS負(fù)載，額定負(fù)載為1/2 VDC，對(duì)于TTL負(fù)載，額定負(fù)載為1.4 VDC。
VCXO的拉電壓范圍：基準(zhǔn)條件下VCXO壓控晶體振蕩器輸出頻率可以通過(guò)外部DC控制電壓改變的標(biāo)稱頻率范圍，單位為ppm。
VCXO線性度：定義為輸出頻率相對(duì)于最佳擬合直線的控制電壓的變化百分比。
啟動(dòng)時(shí)間：從振蕩器通電到振蕩器達(dá)到穩(wěn)定振蕩的特定時(shí)間。
輸出負(fù)載：振蕩器驅(qū)動(dòng)其他設(shè)備或扇出的能力。TTL器件以可驅(qū)動(dòng)的門電路數(shù)量來(lái)表示。CMOS輸出以pF為單位。
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