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晶振系列

首頁溫補(bǔ)晶振溫補(bǔ)晶振,貼片晶振,KC5032R晶振,石英晶振

    溫補(bǔ)晶振,貼片晶振,KC5032R晶振,石英晶振

  • 規(guī)格型號(hào):58085064
  • 頻率:10.000MHZ~900.000MHZ
  • 尺寸:5.0*3.2*1.2mm
  • PDF
  • 產(chǎn)品描述:廣泛適用于智能手機(jī),平板電腦,GPS導(dǎo)航定位系統(tǒng),精密儀器,汽車電子,車載產(chǎn)品等領(lǐng)域.

京瓷晶振,KC5032R晶振,5032晶振,差分晶振
頻率范圍10.000MHZ-900.000MHZ
電源電壓:3.3V

頻率老化:  ±5ppm
工作溫度: -40℃~+85℃
保存溫度: -55℃~+125℃
精度 ±50ppm
輸出方式:LV-PECL
尺寸:大體積5.0*3.2*1.mm
應(yīng)用:無線模塊、智能家用電器、衛(wèi)星導(dǎo)航、移動(dòng)通信、程控交換系統(tǒng)、無線發(fā)射基站、集成電路等產(chǎn)品。

         京瓷將“客戶至上”的原則放在首位,以確保我們提供的石英晶振產(chǎn)品和服務(wù)始終讓人們滿意??蛻舻臐M意要求我們快速響應(yīng)不斷變化的我們周圍。我們也努力通過有機(jī)地動(dòng)員和管理資源的技術(shù)能力,京瓷集團(tuán)在創(chuàng)造新的價(jià)值,用我們的京瓷理念,我們的阿米巴管理系統(tǒng),我們通過“人類智慧的債券管理的信念。我們希望不斷地向客戶提供新的價(jià)值,通過團(tuán)隊(duì)成員追求自己的夢想,熱情工作,并始終如一地實(shí)現(xiàn)自我確定的目標(biāo)。

      京瓷晶振,KC5032R晶振,5032晶振,差分晶振,是一款提供差分信號(hào)的石英晶體振蕩器,由日本知名的晶振企業(yè)京瓷晶振公司研發(fā)生產(chǎn),產(chǎn)品擁有六個(gè)腳位,表面是金屬的外殼,包裝方式是編帶式的可支持貼裝機(jī)高效自動(dòng)貼裝,KC5032R晶振的頻率最低從10.000MHZ至最高的900.000MHZ,可以說是世界上頻率最高的一款有源晶振。

晶振型號(hào)/輸出類型 KC5032R晶振,京瓷有源晶振
晶振類型 SPXO振蕩器
占空比 45 % ~ 55 %
振蕩模式 基本/第三泛音
電源電壓 3.3V
頻率范圍2 10.000MHZ-900.000MHZ
頻率穩(wěn)定度 ±50ppm
工作溫度 -40~+85℃
保存溫度 -55~+125℃
電壓卷(最大值)/ VOH(最小值) 0.1VDD/0.9VDD
啟動(dòng)時(shí)間 3 ms Max.
相位抖動(dòng)(12千赫?20兆赫) 1個(gè)PS最大。
老化率 ±5ppm /年最大。




噪音
在電源或輸入端上施加執(zhí)行級(jí)別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能會(huì)導(dǎo)致有源晶振引發(fā)功能失?;驌舸┑拈]門或雜散現(xiàn)象。
電源線路
電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低。
輸出負(fù)載
建議將輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近石英振蕩器的地方(在20 mm范圍之間)。
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作。同時(shí),當(dāng)P通道和N通道都處于打開時(shí),電源功率消耗也會(huì)增加;因此,請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCC 或GND。
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的晶體單元的產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。
安裝方向
振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確。
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致京瓷晶振無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作。

1.驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說明所需電功率,其計(jì)算公式如下:
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2.Re
其中i表示經(jīng)過單元的電流,
Re表示單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。

 
2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則進(jìn)口晶振
會(huì)增加啟動(dòng)時(shí)間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極注意事項(xiàng)-振蕩補(bǔ)償.png
3.負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致
頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。貼片晶振電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。

電容特征.png

頻率和負(fù)載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考.png
                           振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考

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