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晶振系列

首頁(yè)進(jìn)口晶振亞陶晶振,MD晶振,5032晶振,石英振蕩器

    亞陶晶振,MD晶振,5032晶振,石英振蕩器

  • 規(guī)格型號(hào):48236865
  • 頻率:16.000MHZ
  • 尺寸:5.0*3.2*1.3mm 詳細(xì)資料請(qǐng)查看PDF
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  • 產(chǎn)品描述:廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無(wú)線(xiàn)發(fā)射基站,智能手機(jī),無(wú)線(xiàn)通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等領(lǐng)域.

亞陶晶振,MD晶振,5032晶振,石英振蕩器
參數(shù):頻率范圍16.000MHZ-67.000MHZ
電源電壓: 2.5V
負(fù)載電容: 15PF
工作溫度: -20℃~+70℃

保存溫度: -40℃~+85℃
精度 ±20ppm、±30ppm、±50ppm
輸出方式:CMOS
尺寸:量輕薄小型5.0*3.2*1.3mm
應(yīng)用:供電設(shè)備,車(chē)載模塊,網(wǎng)絡(luò)設(shè)備,智能家居,GPS導(dǎo)航儀,LED定時(shí)計(jì)時(shí)模塊,平板掌上筆記本,數(shù)控設(shè)備等模塊。

         Pericom設(shè)計(jì)、研發(fā)、并且營(yíng)銷(xiāo)高性能的接口集成電路與晶振頻率控制產(chǎn)品,并致力遵從環(huán)境法規(guī)和制度,保護(hù)環(huán)境和預(yù)防對(duì)環(huán)境有害的影響。Pericom致力于創(chuàng)造一個(gè)有效環(huán)境保護(hù)系統(tǒng),同時(shí)完成重要企業(yè)目標(biāo)。
         我們是高速市場(chǎng)晶振技術(shù)科技的領(lǐng)先者,并且以業(yè)界最先推出雙HDMI 和 PCI Express切換的解決方案和獨(dú)特串行聯(lián)機(jī)信號(hào)完整性科技為榮。Pericom現(xiàn)有的技術(shù)包含了所有主要的高速串行聯(lián)機(jī)協(xié)議,包含了: PCI Express (1.0 + 2.0), USB 2.0 + SuperSpeed 3.0, HDMI/DVI + DisplayPort, SAS/SATA, XAUI, Fibre Channel, 和Gigabit Ethernet等。

        亞陶晶振,MD晶振,5032晶振,石英振蕩器,為一款5032mm表面貼片式金屬外殼普通有源石英晶振,百利通亞陶出口的晶振通常PPM都比較高,例如這款的精度范圍可達(dá)到±20ppm~±50ppm之間,用在產(chǎn)品身上可發(fā)揮MD晶振的高穩(wěn)定性,并且它的體積也是市場(chǎng)最常的尺寸之一,可用在不同種類(lèi)的高端數(shù)碼上,所以也具有多用途功能。

泰藝晶振型號(hào)/輸出類(lèi)型 MD晶振,亞陶石英晶體振蕩器
晶振類(lèi)型 OSC振蕩器
輸出負(fù)載 15pF
振蕩模式 基本/第三泛音
電源電壓 2.5V
頻率范圍2 16.000MHZ-67.000MHZ
頻率穩(wěn)定度 ±20ppm、±30ppm、±50ppm
工作溫度 -20~+70℃
保存溫度 -40~+85℃
電壓卷(最大值)/ VOH(最小值) 0.1VDD/0.9VDD
啟動(dòng)時(shí)間 5 ms Max.
相位抖動(dòng)(12千赫?20兆赫) 1個(gè)PS最大。
老化率 ±3 ppm /年最大。




噪音
在電源或輸入端上施加執(zhí)行級(jí)別(過(guò)高)的不相干(外部的)噪音,可能會(huì)導(dǎo)致石英晶振引發(fā)功能失?;驌舸┑拈]門(mén)或雜散現(xiàn)象。
電源線(xiàn)路
電源的線(xiàn)路阻抗應(yīng)盡可能低。
輸出負(fù)載
建議將輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近石英晶體振蕩器的地方(在20 mm范圍之間)。
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作。同時(shí),當(dāng)P通道和N通道都處于打開(kāi)時(shí),電源功率消耗也會(huì)增加;因此,請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCC 或GND。
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的有源晶振單元的產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線(xiàn)路擊穿。必須避免這種情況。
安裝方向
振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確。
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致貼片晶振無(wú)法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作。


輸出波形與測(cè)試電路
1.時(shí)序表


2.    測(cè)試條件
(1)   電源電壓
    超過(guò) 150µs,直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。
    電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。
(2)   其他
   輸入電容低于 15 pF
   5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。
   鉛探頭應(yīng)盡可能短。
   測(cè)量頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。
(3)   其他
    CL包含探頭電容。
    應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
    使用微型插槽,以觀(guān)察波形。
(請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線(xiàn)。)

3.    測(cè)試電路

MD系列 :在頻率電壓控制功能時(shí),進(jìn)行連接       
1CMOS 負(fù)載
型號(hào):

MD
·          
2 抗低,電容負(fù)載
型號(hào):

MD
·               
3 TTL 負(fù)載
型號(hào):

MD
·   
4 LV-PECL 負(fù)載
型號(hào):

MD
·            
5LV-PECL 負(fù)載
型號(hào):

MD
 
6 LV-PECL 負(fù)載
型號(hào):

MD
 
7 LVDS 負(fù)載
型號(hào):

MD
 
8 HCSL 負(fù)載
型號(hào):

MD

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