晶振系列
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陶瓷霧化片 wuhuapian
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陶瓷晶振 taocijingzhen
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32.768K Clock crystal
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貼片晶振 SMDcrystal
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石英晶振 Quartz Crystal
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聲表面濾波器 Quartz Crystal
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聲表面諧振器 resonator
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陶瓷濾波器 taocilvboqi
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KDS晶振 KDS CRYSTAL
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精工晶振 SEIKO CRYSTAL
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村田晶振 muRata CRYSTAL
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西鐵城晶振 CITIZEN CRYSTAL
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愛普生晶振 EPSON CRYSTAL
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微孔霧化片 微孔霧化片
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臺灣加高晶體 H.ELE
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進口京瓷晶體 KYOCERA
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日本NDK晶體 進口NDK晶體
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日本大河晶體 RIVER
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美國CTS晶體 CTS石英晶體
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臺灣希華晶體 臺灣希華
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臺灣鴻星晶體 HOSONIC
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臺灣TXC晶體 TXC CRYSTAL
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臺灣泰藝晶體 TAITIEN CRYSTAL
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臺灣亞陶晶體 百利通亞陶
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臺灣NSK晶體 NSK CRYSTAL
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瑪居禮晶振 臺灣瑪居禮晶振
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富士晶振 日本富士貼片晶振
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SHINSUNG晶振 韓國進口SHINSUNG晶振
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SMI晶振 日本SMI貼片晶振
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Lihom晶振 韓國Lihom晶振
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NAKA晶振 日本納卡株式會社晶振
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AKER晶振 臺灣安碁貼片晶振
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NKG晶振 NKG石英晶振
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NJR晶振 日本NJR晶振
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Sunny晶振 Sunny CRYSTAL
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Statek晶振 Statek貼片晶體
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Pletronics晶振 Pletronics CRYSTAL
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Jauch晶振 Jauch Crystal
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日蝕晶振 Ecliptek Crystal
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IDT晶振 IDT進口晶振
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格林雷晶振 Greenray恒溫晶振
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高利奇晶振 Golledge石英晶體振蕩器
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維管晶振 Vectron Crystal
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拉隆晶振 Raltron CRYSTAL
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瑞康晶振 Rakon石英晶體
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康納溫菲爾德晶振 ConnorWinfield Crystal
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ECS晶振 ECS CRYSTAL
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Abracon晶振 Abracon 石英振蕩器
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CTS晶振 西迪斯晶振
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SiTime晶振 SiTime可編碼振蕩器
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微晶晶振 Microcrystal Crystal
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AEK晶振 AEK CRYSTAL
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AEL晶振 AEL CRYSTAL
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Cardinal晶振 Cardinal貼片晶體
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Crystek晶振 Crystek石英晶振
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Fox晶振 Fox有源晶振
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Frequency晶振 Frequency Crystal
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GEYER晶振 GEYER CRYSTAL
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KVG晶振 KVG石英晶體
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ILSI晶振 ILSI CRYSTAL
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Euroquartz晶振 Euroquartz crystal
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MMDCOMP晶振 MMDCOMP貼片晶振
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MtronPTI晶振 MtronPTI晶體諧振器
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QANTEK晶振 QANTEK石英晶振
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QuartzCom晶振 QuartzCom石英晶體
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Quarztechnik晶振 Quarztechnik Crystal
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Suntsu晶振 Suntsu石英貼片晶振
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Transko晶振 Transko crystal
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Wi2Wi晶振 Wi2Wi Crystal
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Rubyquartz晶振 進口Rubyquartz CRYSTAL
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ACT晶振 ACT石英晶振
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Oscilent晶振 Oscilent CRYSTAL
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ITTI晶振 ITTI石英晶體諧振器
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MTI-milliren晶振 MTI Crystal
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PDI晶振 PDI CRYSTAL
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IQD晶振 IQD CRYSTAL
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Microchip晶振 Microchip crystal
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Silicon晶振 Silicon Crystal
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安德森晶振 Anderson Crystal
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富通晶振 Fortiming Crystal
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CORE晶振 CORE CRYSTAL
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NIPPON晶振 NIPPON石英晶體振蕩器
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NIC晶振 NIC Crystal
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QVS晶振 QVS CRYSTAL
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Bomar晶振 Bomar Crystal
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Bliley晶振 Bliley Crystal
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GED晶振 GED CRYSTAL
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FILTRONETICS晶振 FILTRONETICS CRYSTAL
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Standard晶振 Standard Crystal
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Q-Tech晶振 美國Q-Tech晶振
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Wenzel晶振 Wenzel Crystal
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NEL晶振 美國NEL晶振
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EM晶振 EM CRYSTAL
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PETERMANN晶振 PETERMANN CRYSTAL
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FCD-Tech晶振 荷蘭晶振FCD-Tech
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HEC晶振 HEC CRYSTAL
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FMI晶振 FMI CRYSTAL
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麥克羅比特晶振 Macrobizes Crystal
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AXTAL晶振 AXTAL CRYSTAL
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ARGO晶振 ARGO晶振公司是專業(yè)提供和設計波段頻率控制設備和微波無線通信零部件.我們還分銷日本,歐洲和美國的一些知名品牌零部件.我們致力于發(fā)展與計算機,IT和無線通信公司無任何界限的信息時代.我們秉承經營者的踏實,誠懇的態(tài)度,互惠互利的精神,實現共贏的目標,以誠信為本,誠信為本,公平交易為宗旨,以誠信,勤勉,誠信,精神質量第一,客戶滿意的經營理念,將以優(yōu)良的產品質量,優(yōu)惠的價格,優(yōu)質的服務與您建立長期穩(wěn)定的合作關系,共創(chuàng)輝煌事業(yè).
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SKYWORKS晶振
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Renesas瑞薩晶振
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貼片石英晶振 SMD CRYSTAL
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貼片陶瓷晶振 SMD 陶振
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有源晶振 Oscillator
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石英晶體振蕩器 OSC石英晶體振蕩器
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壓控晶振 VCXO進口晶振
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壓控溫補晶振 VC-TCXO CRYSTAL
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恒溫晶振 OCXO有源晶振
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差分晶振 差分石英晶體振蕩器
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數碼產品
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醫(yī)療產品
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汽車產品
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移動產品
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智能家居
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網絡設備
- 規(guī)格型號:74905927
- 頻率:1.500MHZ~80.000MHZ
- 尺寸:2.0*1.6*0.8mm 詳細資料請查看PDF
- 產品描述:廣泛應用于無線通信,智能手機,平板筆記本,計算機,全球GPS定位系統(tǒng),WLAN網絡產品等.
KYOCERA晶振,KC2016K晶振,2016晶振,京瓷有源晶振


KYOCERA晶振,KC2016K晶振,2016晶振,京瓷有源晶振
頻率范圍1.500MHZ-80.000MHZ
電源電壓:3.3V
輸出負載: 15PF
工作溫度: -40℃~+85℃
保存溫度: -55℃~+125℃
精度 ±25ppm、±30ppm、±50ppm
輸出方式:CMOS
尺寸:大體積2.0*1.6*0.8mm
應用:SDH/ SONET,以太網,基站,智能筆記本,交通設備,高級安防裝備,人造衛(wèi)星,輪船機器控制設備,汽車引擎控制系統(tǒng)和電子探測器等產品.
采用合成石英晶體生長技術,京瓷晶振器件制造了一系列高質量,高可靠性的石英晶體器件和石英晶體產品,用于電子設備。我們將積極追求石英晶體產品的進一步發(fā)展,以支持網絡社會的持續(xù)增長。京瓷液晶器件,其起源可追溯到Kinsekisha Kenkyujo。公司分拆從Kinsekisha Hosekiten、神田小川町,東京的一個小飾品的企業(yè),用于制造石英晶體單元的目的。
KYOCERA晶振,KC2016K晶振,2016晶振,京瓷有源晶振,這是一款體積非常小的鐘表石英晶體振蕩器,長和寬分別是2.0mm和1.6mm,厚度也只有0.8mm,電壓可以在+1.8V、+2.5V和3.3V三種之間選擇,在±50ppm的精度下,工作的溫度特性可達到-40℃~+105℃,KC2016K晶振特別符合時下推崇的小型化要求,應用的產品范圍大.
晶振型號/輸出類型 | KYOCERA晶振,京瓷石英晶振 |
晶振類型 | OSC振蕩器 |
占空比 | 45 % ~ 55 % |
振蕩模式 | 基本/第三泛音 |
電源電壓 | 3.3V |
頻率范圍2 | 1.500MHZ-80.000MHZ |
頻率穩(wěn)定度 | ±25ppm、±30ppm、±50ppm |
工作溫度 | -40~+105℃ |
保存溫度 | -55~+125℃ |
電壓卷(最大值)/ VOH(最小值) | 0.1VDD/0.9VDD |
啟動時間 | 3 ms Max. |
相位抖動(12千赫?20兆赫) | 1個PS最大。 |
老化率 | ±5ppm /年最大。 |



機械振動的影響
當晶體產品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現象對通信器材通信質量有影響。盡管進口晶體振蕩器產品設計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作。
PCB設計指導
(2) 在設計時請參考相應的推薦封裝。
(3) 在使用焊料助焊劑時,按JIS標準(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。
(4) 請按JIS標準(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。
存儲事項
(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存進口晶振產品時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些晶體產品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏。
正常溫度和濕度:
溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(請參閱“測試點JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標準條件”章節(jié)內容)。
(2) 請仔細處理內外盒與卷帶。外部壓力會導致卷帶受到損壞。
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害產品。如需在+150°C以上焊接晶體產品,建議使用SMD產品。在下列回流條件下,對晶體產品甚至SMD晶振產品使用更高溫度,會破壞產品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產品之前,應檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶體產品在下列配置條件下進行焊接,請聯系我們以獲取耐熱的相關信息。

1.驅動能力
驅動能力說明所需電功率,其計算公式如下:
驅動能力 (P) = i2.Re
其中i表示經過單元的電流,
Re表示單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
2.振蕩補償
除非在電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設計時提供足夠的負極
3.負載電容
如果電路中負載電容的不同,可能導致頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。


代理:EPSON,KDS,SEIKO,CITIZEN
電話:0755-27837162
手機:13510569637
郵箱:[email protected]
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