移動通信的發(fā)展離不開溫補晶振
來源:http://m.techzozo.com 作者:jinluodz 2013年11月04
前言:我的生活中,從此多了一個你“手機”。
憶起初,初三那個夏天擁有第一部手機,顯得格外的欣喜若狂。所有的中心工作都投入保護手機中,像是在保護一個弱不禁風的孩子,舍不得磕與碰。好像都是如此吧!在無盡的期盼中,終于獲得朝思暮想物件時,開始總是格外的心疼,后來的后來就淡化了。然而隨著高科技的不斷發(fā)展,那些年被我們追求翻蓋直板滑蓋手機,現(xiàn)已經(jīng)是3G智能機,它就如同一款便攜式的小型計算機,通過3G等移動通訊網(wǎng)絡實現(xiàn)無線網(wǎng)絡連接后,可進行看電視、聊天、淘寶等等一系列活動,另人期待的是4G也在待續(xù)中。
話回35年前,誰也沒想到幾十年后的今天,每個人手上都擁有一部電話,如此方便的交流著,在也不用什么飛鴿傳書,寫信箋了。其實在獲得如此方便的移動通信之時,已然歷經(jīng)了五個發(fā)展階段,而現(xiàn)代移動通信技術的發(fā)展始于上個世紀20年代。是不是瞧見金洛電子小童說到這時,甚至激動吧!那么就讓我們一起回顧移動通信網(wǎng)絡技術的五個發(fā)展史吧!
第一階段從上世紀20年代至40年代,為早期發(fā)展階段,啟動的是車載無線電話服務。第二階段從上世紀40年代中期至60年代初期,人工交換臺。第三階段從上世紀60年代中期至70年代中期,移動電話系統(tǒng)。第四階段從上世紀70年代中期至80年代中期,1G(第一代移動通訊技術)橫空出世,這也是被世人稱為移動通信最為蓬勃的時期。第五階段從上世紀80年代中期開始,這是數(shù)碼移動通信系統(tǒng)發(fā)展和成熟時期,該階段可以再分為2G、2.5G、3G、4G等。
說道于此,其實移動通信的發(fā)展離不開這個小伙伴“溫補晶振”。溫補晶振就是溫度補償晶體振蕩器(TCXO),是通過附加的溫度補償電路,使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器。然而精度、低功耗和小型化,仍然是溫補晶振的研究課題。在小型化與片式化方面,面臨不少困難,其中主要的有兩點:一是小型化會使石英晶體振子的頻率可變幅度變小,溫度補償更加困難;二是片式封裝后在其接作業(yè)中,由于焊接溫度遠高于溫補晶振的最大允許溫度,會使晶體振子的頻率發(fā)生變化,若不采限局部散熱降溫措施,難以將溫補晶振的頻率變化量控制在±0.5×10-6以下。但是,溫補晶振的技術水平的提高并沒進入到極限,創(chuàng)新的內容和潛力仍較大。
后言:為了更好的讓用戶了解于溫補晶振,特別將此列了張表格出來供參考。
憶起初,初三那個夏天擁有第一部手機,顯得格外的欣喜若狂。所有的中心工作都投入保護手機中,像是在保護一個弱不禁風的孩子,舍不得磕與碰。好像都是如此吧!在無盡的期盼中,終于獲得朝思暮想物件時,開始總是格外的心疼,后來的后來就淡化了。然而隨著高科技的不斷發(fā)展,那些年被我們追求翻蓋直板滑蓋手機,現(xiàn)已經(jīng)是3G智能機,它就如同一款便攜式的小型計算機,通過3G等移動通訊網(wǎng)絡實現(xiàn)無線網(wǎng)絡連接后,可進行看電視、聊天、淘寶等等一系列活動,另人期待的是4G也在待續(xù)中。
話回35年前,誰也沒想到幾十年后的今天,每個人手上都擁有一部電話,如此方便的交流著,在也不用什么飛鴿傳書,寫信箋了。其實在獲得如此方便的移動通信之時,已然歷經(jīng)了五個發(fā)展階段,而現(xiàn)代移動通信技術的發(fā)展始于上個世紀20年代。是不是瞧見金洛電子小童說到這時,甚至激動吧!那么就讓我們一起回顧移動通信網(wǎng)絡技術的五個發(fā)展史吧!
第一階段從上世紀20年代至40年代,為早期發(fā)展階段,啟動的是車載無線電話服務。第二階段從上世紀40年代中期至60年代初期,人工交換臺。第三階段從上世紀60年代中期至70年代中期,移動電話系統(tǒng)。第四階段從上世紀70年代中期至80年代中期,1G(第一代移動通訊技術)橫空出世,這也是被世人稱為移動通信最為蓬勃的時期。第五階段從上世紀80年代中期開始,這是數(shù)碼移動通信系統(tǒng)發(fā)展和成熟時期,該階段可以再分為2G、2.5G、3G、4G等。
說道于此,其實移動通信的發(fā)展離不開這個小伙伴“溫補晶振”。溫補晶振就是溫度補償晶體振蕩器(TCXO),是通過附加的溫度補償電路,使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器。然而精度、低功耗和小型化,仍然是溫補晶振的研究課題。在小型化與片式化方面,面臨不少困難,其中主要的有兩點:一是小型化會使石英晶體振子的頻率可變幅度變小,溫度補償更加困難;二是片式封裝后在其接作業(yè)中,由于焊接溫度遠高于溫補晶振的最大允許溫度,會使晶體振子的頻率發(fā)生變化,若不采限局部散熱降溫措施,難以將溫補晶振的頻率變化量控制在±0.5×10-6以下。但是,溫補晶振的技術水平的提高并沒進入到極限,創(chuàng)新的內容和潛力仍較大。
后言:為了更好的讓用戶了解于溫補晶振,特別將此列了張表格出來供參考。
溫補晶振主要技術指標 | |
頻率范圍 | 1.00-80.00MHz |
頻率準確度 | A. ≤±1.0ppm @25℃ |
B. ≤±0.5ppm @25℃ | |
頻率調整 | 1.Ageing adjustment: ≥ ±5ppm |
2.No frequency adjustment | |
工作溫度范圍 | C. -20-+70℃ |
D. -40-+85℃ | |
E. -55-+105℃ | |
溫度頻率穩(wěn)定度 | F. ±0.28ppm |
G. ±0.5ppm | |
H. ±1.0ppm | |
I. ±1.5ppm | |
J. ±2.0ppm | |
K. ±2.5ppm | |
輸出波形 | 1. Sine 正弦波 |
2. Hcmos 方波 | |
3. Clipped Sine 削峰正弦波 | |
工作電壓范圍 | L 3.3V±10% |
M 5.0V±10% | |
頻率老化率 |
±1ppm最大的第一年, ±3ppm最大為10年 |
儲存溫度 | -55°C~+125°C |
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