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晶振系列

首頁進(jìn)口晶振希華晶振,STO-7050B晶振,7050晶振,有源晶振

    希華晶振,STO-7050B晶振,7050晶振,有源晶振

  • 規(guī)格型號:49669715
  • 頻率:2.500MHZ-55.000MHZ
  • 尺寸:7.0*5.0*1.4mm 詳細(xì)資料請查看PDF
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  • 產(chǎn)品描述:廣泛應(yīng)用到一些比較高端的數(shù)碼通訊產(chǎn)品領(lǐng)域,GPS全球定位系統(tǒng),智能手機(jī),WiMAX和蜂窩和無線通信等產(chǎn)品.

希華晶振,STO-7050B晶振,7050晶振,有源晶振
參數(shù):頻率范圍2.500MHZ-55.000MHZ
電源電壓: 2.8V
負(fù)載電容: 15PF
工作溫度: -30℃~+75℃

保存溫度: -40℃~+125℃
精度 ±2.5ppm
輸出方式:CMOS輸出 
尺寸:大體積重量輕7.0*5.0*1.4
應(yīng)用:主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域.

       藉由臺灣、日本、大陸三地的產(chǎn)品設(shè)計開發(fā)與制程資源整合,不斷開發(fā)創(chuàng)新及制程改造,以全系列完整產(chǎn)品線,來滿足客戶對石英晶振多樣化的需求。積極地透過產(chǎn)學(xué)合作與配合國外技術(shù)引進(jìn)開發(fā)新產(chǎn)品,多角化經(jīng)營、擴(kuò)大市場領(lǐng)域,此亦為公司得以永續(xù)經(jīng)營的方針。
       科技本于‘善盡企業(yè)責(zé)任、降低環(huán)境沖擊、提升員工健康’的理念,執(zhí)行各項環(huán)境及職業(yè)安全衛(wèi)生管理工作;希華晶體落實公司環(huán)安衛(wèi)政策要求使環(huán)境暨安全衛(wèi)生管理成效日益顯著,不僅符合國內(nèi)環(huán)保、勞安法令要求,同時也能達(dá)到國際環(huán)保、安全衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn)。


        希華晶振,STO-7050B晶振,7050晶振,有源晶振,是一款貼片型7050mm封裝的有源晶振,晶振本身具有溫度補(bǔ)償功能,可以在產(chǎn)品周圍溫度忽高忽低的時候?qū)囟瓤刂圃?/span>-30℃~+75℃,擁有良好的耐高溫和耐低溫的溫度特性,金屬表面的外殼可STO-7050B晶振增強(qiáng)耐沖擊性,最適合用于要求較高的電子產(chǎn)品,可發(fā)揮其優(yōu)良的電氣特性。

大河晶振型號/輸出類型 STO-7050B晶振,溫補(bǔ)晶體振蕩器
晶振類型 TCXO振蕩器
輸出負(fù)載 15pF
振蕩模式 基本/第三泛音
電源電壓 2.8V
頻率范圍2 2.500MHZ-55.000MHZ
頻率穩(wěn)定度 ±2.5ppm
工作溫度 -30~+75℃
保存溫度 -40~+125℃
電壓卷(最大值)/ VOH(最小值) 0.1VDD/0.9VDD
啟動時間 5 ms Max.
相位抖動(12千赫?20兆赫) 1個PS最大。
老化率 ±3 ppm /年最大。



噪音
在電源或輸入端上施加執(zhí)行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能會導(dǎo)致這款進(jìn)口晶振引發(fā)功能失?;驌舸┑拈]門或雜散現(xiàn)象。
電源線路
電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低。
輸出負(fù)載
建議將輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近石英晶體振蕩器的地方(在20 mm范圍之間)。
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作。同時,當(dāng)P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加;因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND。
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會降低受損害的貼片晶振的產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。
安裝方向
振蕩器的不正確安裝會導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確。
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導(dǎo)致SMD晶振無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作。


輸出波形與測試電路
1.時序表


2.    測試條件
(1)   電源電壓
    超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。
    電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。
(2)   其他
   輸入電容低于 15 pF
   5倍頻率范圍或更多測量頻率。
   鉛探頭應(yīng)盡可能短。
   測量頻率時,探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時,可同時進(jìn)行測量。
(3)   其他
    CL包含探頭電容。
    應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
    使用微型插槽,以觀察波形。
(請勿使用該探頭的長接地線。)

3.    測試電路

STO-7050B :在頻率電壓控制功能時,進(jìn)行連接       
1CMOS 負(fù)載
型號:

STO-7050B
·          
2 抗低,電容負(fù)載
型號:

STO-7050B
·               
3 TTL 負(fù)載
型號:

STO-7050B
·   
4 LV-PECL 負(fù)載
型號:

STO-7050B
·            
5LV-PECL 負(fù)載
型號:

STO-7050B
 
6 LV-PECL 負(fù)載
型號:

STO-7050B
 
7 LVDS 負(fù)載
型號:

STO-7050B
 
8 HCSL 負(fù)載
型號:

STO-7050B

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