晶振系列
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陶瓷霧化片 wuhuapian -
陶瓷晶振 taocijingzhen -
32.768K Clock crystal -
貼片晶振 SMDcrystal -
石英晶振 Quartz Crystal -
聲表面濾波器 Quartz Crystal -
聲表面諧振器 resonator -
陶瓷濾波器 taocilvboqi -
KDS晶振 KDS CRYSTAL -
精工晶振 SEIKO CRYSTAL -
村田晶振 muRata CRYSTAL -
西鐵城晶振 CITIZEN CRYSTAL -
愛普生晶振 EPSON CRYSTAL -
微孔霧化片 微孔霧化片 -
臺灣加高晶體 H.ELE -
進口京瓷晶體 KYOCERA -
日本NDK晶體 進口NDK晶體 -
日本大河晶體 RIVER -
美國CTS晶體 CTS石英晶體 -
臺灣希華晶體 臺灣希華 -
臺灣鴻星晶體 HOSONIC -
臺灣TXC晶體 TXC CRYSTAL -
臺灣泰藝晶體 TAITIEN CRYSTAL -
臺灣亞陶晶體 百利通亞陶 -
臺灣NSK晶體 NSK CRYSTAL -
瑪居禮晶振 臺灣瑪居禮晶振 -
富士晶振 日本富士貼片晶振 -
SHINSUNG晶振 韓國進口SHINSUNG晶振 -
SMI晶振 日本SMI貼片晶振 -
Lihom晶振 韓國Lihom晶振 -
NAKA晶振 日本納卡株式會社晶振 -
AKER晶振 臺灣安碁貼片晶振 -
NKG晶振 NKG石英晶振 -
NJR晶振 日本NJR晶振 -
Sunny晶振 Sunny CRYSTAL -
Statek晶振 Statek貼片晶體 -
Pletronics晶振 Pletronics CRYSTAL -
Jauch晶振 Jauch Crystal -
日蝕晶振 Ecliptek Crystal -
IDT晶振 IDT進口晶振 -
格林雷晶振 Greenray恒溫晶振 -
高利奇晶振 Golledge石英晶體振蕩器 -
維管晶振 Vectron Crystal -
拉隆晶振 Raltron CRYSTAL -
瑞康晶振 Rakon石英晶體 -
康納溫菲爾德晶振 ConnorWinfield Crystal -
ECS晶振 ECS CRYSTAL -
Abracon晶振 Abracon 石英振蕩器 -
CTS晶振 西迪斯晶振 -
SiTime晶振 SiTime可編碼振蕩器 -
微晶晶振 Microcrystal Crystal -
AEK晶振 AEK CRYSTAL -
AEL晶振 AEL CRYSTAL -
Cardinal晶振 Cardinal貼片晶體 -
Crystek晶振 Crystek石英晶振 -
Fox晶振 Fox有源晶振 -
Frequency晶振 Frequency Crystal -
GEYER晶振 GEYER CRYSTAL -
KVG晶振 KVG石英晶體 -
ILSI晶振 ILSI CRYSTAL -
Euroquartz晶振 Euroquartz crystal -
MMDCOMP晶振 MMDCOMP貼片晶振 -
MtronPTI晶振 MtronPTI晶體諧振器 -
QANTEK晶振 QANTEK石英晶振 -
QuartzCom晶振 QuartzCom石英晶體 -
Quarztechnik晶振 Quarztechnik Crystal -
Suntsu晶振 Suntsu石英貼片晶振 -
Transko晶振 Transko crystal -
Wi2Wi晶振 Wi2Wi Crystal -
Rubyquartz晶振 進口Rubyquartz CRYSTAL -
ACT晶振 ACT石英晶振 -
Oscilent晶振 Oscilent CRYSTAL -
ITTI晶振 ITTI石英晶體諧振器 -
MTI-milliren晶振 MTI Crystal -
PDI晶振 PDI CRYSTAL -
IQD晶振 IQD CRYSTAL -
Microchip晶振 Microchip crystal -
Silicon晶振 Silicon Crystal -
安德森晶振 Anderson Crystal -
富通晶振 Fortiming Crystal -
CORE晶振 CORE CRYSTAL -
NIPPON晶振 NIPPON石英晶體振蕩器 -
NIC晶振 NIC Crystal -
QVS晶振 QVS CRYSTAL -
Bomar晶振 Bomar Crystal -
Bliley晶振 Bliley Crystal -
GED晶振 GED CRYSTAL -
FILTRONETICS晶振 FILTRONETICS CRYSTAL -
Standard晶振 Standard Crystal -
Q-Tech晶振 美國Q-Tech晶振 -
Wenzel晶振 Wenzel Crystal -
NEL晶振 美國NEL晶振 -
EM晶振 EM CRYSTAL -
PETERMANN晶振 PETERMANN CRYSTAL -
FCD-Tech晶振 荷蘭晶振FCD-Tech -
HEC晶振 HEC CRYSTAL -
FMI晶振 FMI CRYSTAL -
麥克羅比特晶振 Macrobizes Crystal -
AXTAL晶振 AXTAL CRYSTAL -
ARGO晶振 ARGO晶振公司是專業(yè)提供和設計波段頻率控制設備和微波無線通信零部件.我們還分銷日本,歐洲和美國的一些知名品牌零部件.我們致力于發(fā)展與計算機,IT和無線通信公司無任何界限的信息時代.我們秉承經營者的踏實,誠懇的態(tài)度,互惠互利的精神,實現共贏的目標,以誠信為本,誠信為本,公平交易為宗旨,以誠信,勤勉,誠信,精神質量第一,客戶滿意的經營理念,將以優(yōu)良的產品質量,優(yōu)惠的價格,優(yōu)質的服務與您建立長期穩(wěn)定的合作關系,共創(chuàng)輝煌事業(yè).
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SKYWORKS晶振
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Renesas瑞薩晶振
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貼片石英晶振 SMD CRYSTAL -
貼片陶瓷晶振 SMD 陶振 -
有源晶振 Oscillator -
石英晶體振蕩器 OSC石英晶體振蕩器
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壓控晶振 VCXO進口晶振
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壓控溫補晶振 VC-TCXO CRYSTAL
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恒溫晶振 OCXO有源晶振
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差分晶振 差分石英晶體振蕩器
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數碼產品
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醫(yī)療產品
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汽車產品
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移動產品
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智能家居
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網絡設備
- 規(guī)格型號：2564576
- 頻率：2.048MHZ~125.000MHZ
- 尺寸：5.0*3.2*1.2mm 詳細資料請查看PDF
- 產品描述：廣泛應用到集成電路,程控交換系統(tǒng),數碼IT,汽車電子,安防報警系統(tǒng),電動工具,光纖通道等行業(yè)產品.
泰藝晶振,OV晶振,5032晶振,進口晶振
泰藝晶振,OV晶振,5032晶振,進口晶振
參數:頻率范圍2.048MHZ-125.000MHZ
電源電壓:3.3V
負載電容: 15F
工作溫度: -40℃~+85℃
保存溫度: -55℃~+125℃
精度 ±20ppm,±25ppm,±50ppm
輸出方式：CMOS
尺寸：中小型5.0*3.2*1.2
應用：移動通信終端基準時鐘，全球GPS定位模塊，串行連接SCSI，數控設備，井下儀器，無線模塊等產品。
泰藝電子多年來致力于研發(fā)創(chuàng)新，部分核心技術是臺灣業(yè)界的領先者，近年來陸續(xù)取得石英晶振相關制造技術專利；未來將持續(xù)加強開發(fā)，以成為全球石英頻控組件領導者之目標邁進。經由四十年的持續(xù)努力，泰藝電子已是石英頻率解決方案的世界知名廠商。泰藝遍布全球的服務據點能為客戶提供最優(yōu)質的晶振產品服務與技術咨詢。
泰藝晶振,OV晶振,5032晶振,進口晶振，這一款貼片型金屬外殼封裝的石英晶體振蕩器，擁有3.3V驅動的低電壓，+/-20ppm的高精度，自問世以來一直活躍于電子市場上，被確認為最合適應用在民用小型化的數碼電子產品上，OV晶振可有效的為產品節(jié)約占位空間，能在惡劣的條件下保持良好的穩(wěn)定振動。
| 泰藝晶振型號/輸出類型 | OV晶振,進口貼片晶振 |
| 晶振類型 | OSC振蕩器 |
| 輸出方式 | CMOS |
| 振蕩模式 | 基本/第三泛音 |
| 電源電壓 | 3.3V |
| 頻率范圍 | 2.048MHZ-125.000MHZ |
| 頻率穩(wěn)定度 | ±20ppm,±25ppm,±50ppm |
| 工作溫度 | -40~+-85℃ |
| 保存溫度 | -55~+125℃ |
| 電壓卷（最大值）/ VOH（最小值） | 0.1 VDD/0.9 VDD |
| 啟動時間 | 5 ms Max. |
| 相位抖動（12千赫?20兆赫） | 1個PS最大。 |
| 老化率 | ±3 ppm /年最大。 |
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抗沖擊
晶體產品可能會在某些條件下受到損壞。例如貼片晶振從桌上跌落或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導致產品性能受到損害，因此應避免照射。
化學制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解產品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產品。
粘合劑
請勿使用可能導致進口晶振產品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 （比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質量，降低性能。）
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產品。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內，都可能產生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會損壞有源晶振，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進行接地操作。
1.驅動能力
驅動能力說明所需電功率，其計算公式如下：
驅動能力 (P) = i2.Re
其中i表示經過振蕩器單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。
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2.振蕩補償
除非在SMD晶振振蕩電路中提供足夠的負極電阻，否則會增加啟動時間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請在電路設計時提供足夠的負極電阻.jpg)
3.負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同，可能導致這款臺灣晶振的頻率與設計頻率之間產生偏差，如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
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振蕩回路參數設置參考
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