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晶振系列

首頁進(jìn)口晶振NDK原裝進(jìn)口晶振,NP5032SA晶振,LVPECL輸出晶振,NP5032SB晶振

    NDK原裝進(jìn)口晶振,NP5032SA晶振,LVPECL輸出晶振,NP5032SB晶振

  • 規(guī)格型號:38713087
  • 頻率:100.000~161.000MHZ
  • 尺寸:5.0*3.2*1.2mm詳細(xì)資料參考PDF
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  • 產(chǎn)品描述:電源電壓為3.3V,LVPECL輸出.優(yōu)良的低消耗電流及優(yōu)良的低相位抖動功能適用于通信電子設(shè)備...

日本NDK株式會社

1948 年  在東京都中央?yún)^(qū)日本橋設(shè)立南部商工株式會社

1949 年  開始晶體諧振器的制造、銷售

1950 年  公司名變更為日本電波工業(yè)株式會社

          總公司遷移登記至東京都涉谷區(qū)大山町

1954 年  建設(shè)、遷移總公司及工廠至東京都涉谷區(qū)代代木新町(現(xiàn)為 涉谷區(qū)西原)

1959 年  開始晶體濾波器的制造

1960 年  開始晶體振蕩器的制造

1962 年  著手在崎玉縣狹山市建立新工廠(現(xiàn)為 狹山事業(yè)所)

1963 年  在狹山事業(yè)所建成人工水晶工廠、開始人工水晶的制造

          在狹山事業(yè)所建成水晶切斷工廠

          在日本證券業(yè)協(xié)會進(jìn)行店面登記

1964 年  在狹山事業(yè)所建成組裝工廠

          在大阪府大阪市設(shè)立大阪辦事處

1970 年  在新瀉縣新瀉市建立Hawk Denshi株式會社(現(xiàn)為 新瀉NDK)

1975 年  在美國加利福尼亞州設(shè)立美國辦事處

1976 年  在宮城縣古川市(現(xiàn)為 大崎市)建立古川NDK株式會社

1979 年  在馬來西亞建立Asian NDK Crystal Sdn. Bhd.

        日本進(jìn)口NDK晶振官網(wǎng):http://m.techzozo.com/NDKQuartzcrystal/

  金洛電子代理供應(yīng)NDK原裝進(jìn)口晶振,NP5032SA晶振,LVPECL輸出晶振,NP5032SB晶振,尺寸為5.0*3.2*1.2mm,電源電壓為2.8V或3.3V,LVPECL輸出型號為NP5032SA,LVDS輸出型號NP5032SB.優(yōu)良的低消耗電流及優(yōu)良的低相位抖動功能適用于通信電子設(shè)備.更多相關(guān)資請登陸官網(wǎng):http://m.techzozo.com   





           晶振是一種易碎元器件,晶振的保護(hù)也是個(gè)很大的問題.下面例舉些對于晶振的保存方式.
1.首先要考慮其周圍的潮濕度,做好防擠壓措施,放在干燥通風(fēng)的地方,使其晶體避免受潮導(dǎo)致其他電氣參數(shù)發(fā)生變化.
2.其次對于易碎的晶振器件要做好防震措施,不宜放在較高的貨架上,在使用的過程,也不宜使晶振跌落,一般來說,從高空跌落的晶振不應(yīng)再次使用.
3.在晶振焊錫過程中,其焊錫的溫度不宜過高,焊錫時(shí)間也不宜過長,防止晶體因此發(fā)生內(nèi)變,而產(chǎn)生不穩(wěn)定.
4.晶振外殼需要接地時(shí),應(yīng)該確保外殼和引腳不被意外連通而導(dǎo)致短路.從而導(dǎo)致晶體不起振.
5.保證兩條引腳的焊錫點(diǎn)不相連,否則也會導(dǎo)致晶體停振.
6.對于需要剪腳的晶振,應(yīng)該注意機(jī)械應(yīng)力的影響.
7.焊錫之后,要進(jìn)行清洗,以免絕緣電阻不符合要求.


設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)

  1.    驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明振蕩晶體單元所需電功率,其計(jì)算公式如下:
     驅(qū)動能力 (P) = i2?Re
 其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。

注意事項(xiàng)-驅(qū)動能力.png
 
2.    振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會增加振蕩啟動時(shí)間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。

注意事項(xiàng)-振蕩補(bǔ)償.png
3. 負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。

 
電容特征.png
          

 
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